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분석기술

구조 분석

Dual FIB Analysis

Dual FIB (Focused Ion Beam) 는 시료의 미세부위를 식각 하여 정밀하게 단면을 관찰하고 분석할 수 있는 장비입니다.
FIB Column 뿐만 아니라 SEM Column 이 장착되어 있어 시료의 특정부위를 미세하게 밀링하여 단면에 대한 고해상도 이미지 정보를 얻어 분석할 수 있을 뿐만 아니라,
FIB 챔버 내 장착되어 있는 EDS Detector 를 통해 시료 단면의 특정부위 및 면적에 대하여 구성되어 있는 성분 분석이 가능합니다.
또한, TEM 분석을 위하여 100nm 이하 두께로 분석 시편을 제작할 수 있으며, Al Metal 기반의 반도체 칩 내부 회로를 수정하는데 매우 용이한 장비 입니다.

분석 기술

Fine Mill Cross Section Analysis, EDS Analysis, TEM Lamella, Circuit Edit

장비

  • Dual FIB Analysis
    제작사 및 모델명
    FEI Helios Nanolab 400S
    장비 사양
    Ion Beam Acceleration Voltage: 1 kV ~ 30 kV
    Ion Beam Resolution: 5nm
    Ion Beam Current: 1.5 pA ~ 21 nA
    Electron Beam Acceleration Voltage: 1 kV ~ 30 kV
    Electron Beam Resolution: 0.9nm
    Electron Beam Current: ≤ 22 nA
    EDS Detector (Oxford Xplore 30)
    Omniprobe

기술사례

  • Cross section
  • Cross section
  • plating thickness measurement
  • FIB-EDS analysis

기술 및 서비스 문의

  • 분석기술팀 김철수 팀장
    Tel. 031-283-9677
    E-mail. chulsoo.kim@knal.co.kr